L’RJP63K2 est un puissant transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor).
robotique industrielle de haute puissance. Son rôle est d’agir comme un interrupteur robuste dans les étages de puissance .
gérant efficacement les tensions élevées (jusqu’à 630V) et les courants importants.
- Désignation du type : RJP63K2DPP-M0
Type : IGBT
Type de canal : N
Pc ⓘ – Dissipation de puissance maximale : 25 W
|Vce|ⓘ – Tension collecteur-émetteur maximale : 630 V
|Vge|ⓘ – Tension grille-émetteur maximale : 30 V
|Ic| ⓘ – Courant de collecteur maximal : 35 A à 25 °C
|VCEsat| ⓘ – Tension de saturation collecteur-émetteur, typ. : 1,9 V à 25 °C
Tj ⓘ – Température de jonction maximale : 150 °C
tr ⓘ – Temps de montée, typ. : 60 ns
Coes ⓘ – Capacité de sortie, typ. : 26 pF
Qg ⓘ – Charge de grille totale, typ. : 20 nC

