30F131
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Le 30f131 ou est un GT30F131transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) principalement fabriqué par Toshiba Semiconducteur. Il est conçu pour les applications à haut débit et à courant élevé, telles que la gestion de l’alimentation et la commutation, y compris dans les circuits de flash stroboscopique.
Il s’agit d’un dispositif semi-conducteur hybride qui combine l’impédance d’entrée élevée d’un MOSFET avec la faible tension à l’état passant d’un BJT.
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