RJP63K2

Le RJP63K2 est un modèle spécifique de fabriqué par Renesas IGBT (transistor bipolaire à grille isolée). Il s’agit d’un transistor de puissance haute tension et haute vitesse conçu pour être utilisé dans les circuits d’alimentation, les onduleurs et les applications d’entraînement de moteur. Il agit comme un interrupteur haute tension et haute vitesse dans les circuits d’alimentation. Il peut supporter jusqu’à et 40 A de courant.630 V

Désignation du type : RJP63K2DPP-M0
Type : IGBT
Type de canal : N
Pc ⓘ – Dissipation de puissance maximale : 25 W
|Vce|ⓘ – Tension collecteur-émetteur maximale : 630 V
|Vge|ⓘ – Tension grille-émetteur maximale : 30 V
|Ic| ⓘ – Courant de collecteur maximal : 35 A à 25 °C
|VCEsat| ⓘ – Tension de saturation collecteur-émetteur, typ. : 1,9 V à 25 °C
Tj ⓘ – Température de jonction maximale : 150 °C
tr ⓘ – Temps de montée, typ. : 60 ns
Coes ⓘ – Capacité de sortie, typ. : 26 pF
Qg ⓘ – Charge de grille totale, typ. : 20 nC