RJP30H2A

Le RJP30H2A est un haute puissance fabriqué par Renesas/Hitachi Transistor bipolaire à porte isolée à canal N (IGBT). Il est conçu pour des applications à commutation d’alimentation à haute vitesse, en particulier dans les unités d’alimentation d’appareils électroniques comme les téléviseurs LCD/LED. Il fonctionne comme un interrupteur électronique haute performance, capable de gérer des tensions et courants élevés très rapidement. Il peut supporter jusqu’à et un courant continu de 35 ampères.360 volts.

• Désignation du type : RJP30H2A
  Type : IGBT
  Type de canal : N |
  Pc ⓘ – Dissipation de puissance maximale : 60 W
  |Vce|ⓘ – Tension collecteur-émetteur maximale : 360 V
  |Vge|ⓘ – Tension grille-émetteur maximale : 30 V
  |Ic| ⓘ – Courant de collecteur maximal : 35 A à 25 °C
  |VCEsat| ⓘ – Tension de saturation collecteur-émetteur, typ. : 1,9 V à 25 °C
  |Tj ⓘ – Température de jonction maximale : 150 °C
  |tr ⓘ – Temps de montée, typ. : 180 ns |
  Coes ⓘ – Capacité de sortie, typ. : 60 pF |
  Qg ⓘ – Charge de grille totale, typ. : 37 nC
  Boîtier : TO263